Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Caja: SOIC-8
Polaridad del transistor: Canal P
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 30 voltios
Id - Corriente de drenaje continua: 19,2A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 15,3 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 2,6 V
Qg - Carga de puerta: 135 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Pd - Disipación de potencia: 5,9 W
Modo de canal: Mejorado

datasheet