Bs BOB
  • Tu Carrito de Compras está vacío!

Lunes a Viernes 8:30 - 12:30 y 14:00 - 18:00

Búsqueda



Productos que cumplen el criterio de la búsqueda

Bs20.0
Caracteristicas: Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
Bs20.0
Bs28.0
Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS(ON) (max) : 0.19 ID : 20 A ..
Bs28.0
Bs8.0
El ICL7667 es un controlador dual monolítico de alta velocidad diseñado para convertir señales de ni..
Bs8.0
Bs10.0
Descripcion: El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Bs10.0
Bs8.0
Descripcion: El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Bs8.0
Bs24.0
Polaridad del transistor: Canal N Intensidad drenador continua Id: 110 A Tensión drenaje-fuente Vds:..
Bs24.0
Bs16.0
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
Bs16.0
Bs6.0
Descripcion: Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad, como fuente..
Bs6.0
Bs52.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Bs52.0

Available Options

Bs6.0
especificaciones Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V Te..
Bs6.0
Bs11.0
Caracteristicas: -Tipo FET: Canal N -Tecnología: MOSFET (óxido de metal) -Voltaje de drenaje a fuent..
Bs11.0
Bs5.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 * Polaridad del transistor:N * Max Voltage Vds:400V * resistencia activ..
Bs5.0
Bs6.0
Polaridad del transistor: Canal P Intensidad drenador continua Id: -6.8 A Voltaje de drenaje- fuente..
Bs6.0
Bs15.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Bs15.0
Bs35.0
Descripcion -IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF ..
Bs35.0
Mostrando 16 a 30 de 62 (5 Páginas)