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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Bs20.0
Caracteristicas:
Con aislamiento de optoacoplador, la señal de control y la potencia del ..
Bs28.0
Drive voltage : 10 V
VDSS : 250 V
rDS(ON) (max) : 0.19
ID : 20 A
..
Bs8.0
El ICL7667 es un controlador dual monolítico de alta velocidad diseñado para convertir señales de ni..
Bs10.0
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Bs8.0
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Bs24.0
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Bs16.0
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
Bs6.0
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Bs52.0
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
Bs6.0
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Bs11.0
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Bs5.0
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Bs6.0
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Bs15.0
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Bs35.0
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
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