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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Bs7.0
Características:
-Polaridad del transistor: NPN
-Voltaje base VCBO: 230 V
-Voltaje colector emisor V..
Bs15.0
Descripcion:
El integrado 2SK952 es un mosfet de canal N que puede manejar voltajes elevados, lleg..
Bs18.0
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60T65PES
Paquete: TO-247AB-3..
Bs1.0
CARACTERISTICAS:
Tipo: pnp
Voltaje del colector-emisor: 50 V
Voltaje de la base del colector: 50 ..
Bs1.0
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.63 W
Tensión colector-base (Vcb)..
Bs10.0
ampliamente usados para reparacion de tarjetas de impresoras epson y similares
Marca: ON SEMICONDUCT..
Bs1.0
Tipo de paquete: SOT-23
Tipo de transistor: PNP
Corriente máxima del colector (I C ): -15..
Bs1.0
Características:
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como am..
Bs4.0
Polaridad de transistor: NPN
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión col..
Bs1.0
CARACTERISTICAS:
-Tipo de paquete: TO-92
-Tipo de transistor: NPN
-Corriente máxima del c..
Bs1.0
TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92
Polaridad del transistor: NPN
Collector Emitter Voltage V (br) ..
Bs2.0
Tipo de paquete: TO-92
Tipo de transistor: PNP
Corriente máxima del colector (I C ): -100mA
Voltaje ..
Bs8.0
Tipo de Transistor NPN
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A
Tensión Máxima..
Bs6.0
Especificaciones
Polaridad de Transistor: NPN
Tension de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V
Cor..
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