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Especificaciones Estilo de montaje: SMD/SMT Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4 Polaridad del tran..
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Especificaciones Tipo - NPN Voltaje colector-emisor: 50 V Voltaje colector-base: 60 V Voltaje de..
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1. Con paquete TO-220F 2. Complemento al tipo 2SB1366 3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
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Caracterìsticas: -Material: Aluminio -Altura: 20mm -Ancho para transistor: 12.5mm -Largo: 15mm ..
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ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS Tipo: Transistor IGBT Numero de serie: 60N60 Paquete: TO-247AB-3 Es..
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Caracteristicas: Modelo: H20R1203 Tipo: IGBT Canal: N VCE: 1200V IC: 20A Voltaje de saturación cole..
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Descripcion -IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF ..
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Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500 Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30 Corriente de ..
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Tipo IGBT TNP Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
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Caracteristicas: Modelo: J13007 encapsulado: TO-220 voltaje colector base:700V voltaje colector emi..
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Descripción: El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
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Características : 1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us 2. Diseñado para: (1) Convertid..
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el kit contiene 10x S9012 PNP 10xS9013 NPN 10xS9014 NPN 10xS9015 BJT-PNP 10xS9018 NPN High frecuenc..
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Tipo de transistor PNP Corriente - Colector (Ic) (Max) 10 A Voltaje - Desglose del emisor del colect..
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Descripcion del producto Detalles del artículo: MJE. Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
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