Búsqueda
Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Bs5.0
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Bs2.0
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
Bs2.0
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
Bs25.0
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Bs8.0
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
Bs3.0
Caracteristicas
Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente
Pequeño transistor de se&nti..
Bs1.0
Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colect..
Bs1.0
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
hFE..
Bs1.0
Características:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como am..
Bs3.0
Especificaciones
Nombre del producto: Transistor SOT23.
Ic: 100 mA Vceo: 45 V HFE: 200 - 400 PCM: ..
Bs3.0
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como amplificador AM/FM y de fr..
Bs2.0
transistor Mosfet N
Tipo de FET: Canal N
SMD/SMT
Paquete: SOT-23
Voltaje de drenaje (Vdss): 20V
Corr..
Bs3.0
ampliamente usado en cargadores y powerbanks
con este IC puedes revivir tus powerbanks
..
Bs160.0
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
Bs10.0
The TIC206D is a sensitive gate TRIAC transistor in a to-220 package
Specifications:
Package / C..
Mostrando 46 a 60 de 68 (5 Páginas)
