Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics se ha diseñado específicamente para minimizar la entrada capacitancia y carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor principal en convertidores CC-CC aislados de alta frecuencia y alta eficiencia para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones. También está diseñado para cualquier aplicación con requisitos bajos de accionamiento de compuerta.

Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 117 nC
Tiempo de elevación (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 730 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm