MOSFET doble N-Channel 30-V (D-S) con diodo Schottky

CARACTERISTICAS

APLICACIONES:

Si4834BDY Si4834BDY-T1 (con cinta y carrete) S1 MOSFET S2 de canal N MOSFET D2 G2 Diodo Schottky G2

CLASIFICACIONES MÁXIMAS ABSOLUTAS (TA = 25_C A MENOS QUE SE INDIQUE LO CONTRARIO)

Tensión de fuente de desagüe Tensión de puerta-fuente Corriente de drenaje continua (TJ = 150_C) a Corriente de drenaje pulsado Corriente de fuente continua (Conducción de diodo) a Disipación máxima de potencia = 70_C

v 10 sec M i Máxima J Unión a ambiente bi ta Máxima unión a pie (drenaje) Notas a. Montaje en superficie de 1 FR4 Board.

Umbral de puerta Voltaje Puerta-Cuerpo Fuga VGS (th) IGSS VDS = VGS, 250 mA VDS 0 V, VGS 20 V VDS V, V VGS 0 V Tensión de drenaje cero Corriente de drenaje IDSS VDS V, V VGS = 85_C Drenaje en estado activo Currentb Drain Source On-State Drain-Source On State Resistanceb Forward Transconductanceb Diode Forward Voltageb ID (on) rDS (on) DS () gfs VSD VDS 5 V, VGS 10 V VGS 7.5 A VGS 6.5 A VDS A, A VGS V nA

Puerta total Carga Puerta-Fuente Carga Puerta-Drenaje Carga Resistencia de la compuerta Encendido Tiempo de retardo Tiempo de subida Tiempo de retardo de desconexión Tiempo de caída Desagüe de fuente Tiempo de recuperación inverso Fuente-Drenaje Qg Qgs Qgd RG td (encendido) tr td (apagado) tf trr 17A A, di / dt = 100 A / ms 1 Ch-2 VDD 1 A, VGEN 0.5 7 VDS V, V VGS 11 nC

DATASHEET: SI4834BDY SMD.pdf