Caracteristicas:

Tipo de transistor: JFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación máxima de potencia (Pd): 0,35 W
Voltaje máximo de drenaje-fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo de compuerta-fuente |Vgs|: 8 V
Corriente máxima de drenaje |Id|: 0,05 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo (Rds): 300 ohmios
Paquete: TO92