potenciómetro de interruptor de detección de posición, FSE11- B10K


datasheet

G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de potencia de 3 polos. G60N100 combina la capacidad de conmutación rápida de MOSFET y la gran capacidad de carga de los transistores normales. Por otro lado, también es un elemento de control de voltaje, por lo que la capacidad de control requerida será extremadamente pequeña.

Características:
-N.º de pieza :G60N100BNTD
-Paquete : TO-264
-Tipo: NPT y trinchera
-Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) : 1000 V
-Vce(on) (Máx.) a Vge, Ic: 2.9V a 15V, 60A
-Corriente - Colector (Ic) (Máx.) : 60A
-Corriente - Colector pulsado (Icm) : 200A
-Potencia - Máx .: 180W
-Energía de conmutación : -
-Tipo de entrada : Estándar
-Carga de la puerta : 275nC
-Td (encendido/apagado) a 25°C : 140 ns/630 ns
-Condición de prueba : 600 V, 60 A, 51 ohmios, 15 V
-Tiempo de recuperación inversa (trr) : -
-Tipo de montaje : Orificio pasante

DATASHEET

Estas son tuercas en T cuadradas M4, muy fáciles de trabajar y un poco más robustas que la tuerca T estándar. El hilo también se encuentra más cerca de la abertura de la ranura, lo que permite un fácil acceso para los sujetadores.

Caracteristicas:
Rosca: M4
Tamaño: 15.6x16x6mm
Diametro de Abertura de agarre: 4mm a ambos lados

Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (BR) CEO = 400 V (Min)
-Alta velocidad de conmutación
-Alta fiabilidad

DATASHEET

Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Resistencia baja de ON-fuente de drenaje: RDS (ENCENDIDO) = 0.62Ω (típico)
Alta aceptación de transferencia directa: Yfs = 5.0 S (típico)
Baja corriente de fuga: IDSS = 10μA (max) (VDS = 500 V)
Modo de mejora: Vth = 2.0 a 4.0 V (VDS = 10 V, Ire = 1 mA)
Aplicaciones: Regulación de conmutación

Caracteristicas
Polaridad de transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 10 A
Corriente de drenaje pulsada IDP: 40 A
Corriente de avalancha IAR: 10 A
Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 45 W
Resistencia VGS RDS(on): 0.38 Ω
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220F
Número de pines: 3

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