Búsqueda
Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Bs1.5
Voltaje colector emisor en corte 60V (Vceo)
Corriente de colector constante 800mA (Ic)
Potencia to..
Bs1.5
Bs8.0
TRANSISTOR, NPN, TO-3
* Polaridad del transistor:NPN
* Voltaje de ruptura de colector a emisor: 60V
..
Bs8.0
Bs35.0
Voltaje de mantenimiento del emisor del colector VCEO (SUS) IC = 200mA, IB = 0 40 V
Voltaje de ruptu..
Bs35.0
Bs2.0
El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplif..
Bs2.0
Bs2.0
La serie 2N3906 de Multicomp se compone de transistores de conmutación planares de silicio PNP..
Bs2.0
Bs2.0
2N4403 es un transistor PNP de propósito general utilizado para aplicaciones de amplificaci&oa..
Bs2.0
Bs8.0
Descripcion:
Transistor NPN de silicio, diseñado para equipos VHF y UHF.
Las aplicaciones incluyen..
Bs8.0
Bs2.0
Información del producto
2N5401 está específicamente diseñado para usarse e..
Bs2.0
Bs2.0
DESCRIPCION DE PRODUCTO:
2N5551 es un transistor NPN de propósito general construido para u..
Bs2.0
Bs2.0
Descripcion:
Transistor de proposito general a1266
Documentacion:
Características:
1. Excelente l..
Bs2.0
Bs7.0
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje colector base VCBO: -230 V
Voltaje colector emisor VCEO: -230 ..
Bs7.0
Bs6.0
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
-Tipo - PNP
-Voltaje del colector-emisor: -120 V
-Voltaje de la base del ..
Bs6.0
Bs2.0
Especificaciones:
Voltaje Colector-Base: 60V
Voltaje Colector-Emisor: 50V
Voltaje Emisor-Base: 5V..
Bs2.0
Bs3.0
Caracteristicas:
voltaje colector emisor: 150V
corriente de colector constate: 1.5 A
potencia disip..
Bs3.0
Bs10.0
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
Bs10.0