Tipo: MOSFET de potencia canal N
Tensión drenaje-fuente (V₍DSS₎): 200 V
Corriente de drenaje continua (Id): ≈43 A
Resistencia drenaje-fuente en conducción (R₍DS(on)₎): 0,054 Ω @ V₍GS₎ = 10 V
Disipación de potencia: ≈300 W
Carga de compuerta: ≈28 nC
Tensión compuerta-fuente máxima: ±30 V
Rango de temperatura de operación: ‑55 °C a +175 °C
Encapsulado: TO‑220 (montaje con disipador recomendado)