Transistor Bipolar (BJT) NPN

IC max: 3 A

IC pulso max: 6 A (@ tp < 5 ms)

FT : 100 MHz típico

PTOT: 12.5 W

VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V

hFE: 80 mínimo (@ IC= 1 A, VCE= 2 V)

Voltaje de saturacion VCE(SAT): 0.7 V max. (@ IC = 2 A, IB = 0.1 A)

Marcado: D882

Encapsulado: TO-126

Complementario: 2SB772