Descripcion:

STMicroelectronics ofrece una gama incomparable de microcontroladores de la familia STM32. Basado en un núcleo Arm Cortex-M de 32 bits optimizado para una eficiencia energética. Combinado con un rendimiento muy alto, capacidades en tiempo real, procesamiento de señales digitales y operación de bajo consumo/voltaje. Ofrece opciones completas de periféricos y soluciones de conectividad inalámbrica. Las aplicaciones incluyen control industrial, electrónica de consumo, IoT, equipos de comunicación, servicios médicos, monitoreo de seguridad, etc.

STMicroelectronics ofrece una gama incomparable de microcontroladores de la familia STM32. Basado en un núcleo Arm Cortex-M de 32 bits optimizado para una eficiencia energética. Combinado con un rendimiento muy alto, capacidades en tiempo real, procesamiento de señales digitales y operación de bajo consumo/voltaje. Ofrece opciones completas de periféricos y soluciones de conectividad inalámbrica. Las aplicaciones incluyen control industrial, electrónica de consumo, IoT, equipos de comunicación, servicios médicos, monitoreo de seguridad, etc.

Los dispositivos STM32F401xB/STM32F401xC se basan en el núcleo RISC Arm Cortex-M4 de 32 bits de alto rendimiento que funciona a una frecuencia de hasta 84 MHz. El núcleo Cortex-M4 cuenta con una unidad de coma flotante (FPU) de precisión simple que admite todas las instrucciones y tipos de datos de procesamiento de datos de precisión simple de Arm. También implementa un conjunto completo de instrucciones DSP y una unidad de protección de memoria (MPU) que mejora la seguridad de las aplicaciones.

Los STM32F401xB/STM32F401xC incorporan memorias integradas de alta velocidad (hasta 256 Kbytes de memoria Flash, hasta 64 Kbytes de SRAM) y una amplia gama de E/S mejoradas y periféricos conectados a dos buses APB, dos buses AHB y un 32 Matriz de bus multi-AHB de bits.

Todos los dispositivos ofrecen un ADC de 12 bits, un RTC de bajo consumo, seis temporizadores de 16 bits de uso general, incluido un temporizador PWM para control de motor, y dos temporizadores de 32 bits de uso general. También cuentan con interfaces de comunicación estándar y avanzadas.

Caracteristicas:
Fuente de alimentación de 1,7 V a 3,6 V
Núcleo: CPU Arm Cortex-M4 de 32 bits con FPU, acelerador adaptativo en tiempo real (ART Accelerator) que permite la ejecución del estado de espera 0 desde la memoria Flash, frecuencia de hasta 84 MHz, unidad de protección de memoria, 105 DMIPS/1,25 DMIPS /MHz (Dhrystone 2.1) e instrucciones DSP
memoria Hasta 256 Kbytes de memoria Flash
512 bytes de memoria OTP
Hasta 64 Kbytes de SRAM
Gestión de reloj, reseteo y suministro.
Suministro de aplicaciones y E/S de 1,7 V a 3,6 V
POR, PDR, PVD y BOR
Oscilador de cristal de 4 a 26 MHz
RC interno de 16 MHz ajustado de fábrica
Oscilador de 32 kHz para RTC con calibración
RC interno de 32 kHz con calibración
Conectividad avanzada
Dispositivo/host/controlador OTG USB 2.0 de velocidad completa con PHY en chip
unidad de cálculo CRC
ID única de 96 bits
RTC: precisión de subsegundos, calendario de hardware

Descripcion:

El STM8S903K3T6C es un microcontrolador STM8 de 8 bits de baja densidad fabricado por STMicroelectronics. Cuenta con memoria Flash de 8 KB, EEPROM de datos, un núcleo de alto rendimiento de hasta 16 MHz y un bajo costo de sistema debido a su alta integración y el uso de tecnología avanzada.

Características:
Familia de microcontroladores: Pertenece a la línea de 8 bits STM8S de STMicroelectronics.
Memoria: Incluye 8 KB de memoria Flash para el programa y una EEPROM de datos integrada para hasta 300.000 ciclos de escritura/borrado.
Rendimiento: Ofrece una frecuencia de reloj de 16 MHz.
Bajo costo: Su alta integración (con osciladores internos, reloj y EEPROM) y el bajo consumo energético lo hacen adecuado para aplicaciones que buscan reducir el costo del sistema.
Robustez: Incorpora características para la robustez del sistema, como watchdog con fuente de reloj independiente y un sistema de seguridad del reloj.

Descripcion:

El M12L64164A es un módulo de memoria SDRAM de 64 Megabits (64Mb) fabricado por ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.), diseñado con una organización de 4 x 1.048.576 palabras por 16 bits, lo que resulta en una memoria de alta velocidad con un diseño síncrono que permite un control de ciclo preciso.

Características:

Tipo de memoria: Es una SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory).
Capacidad: Tiene una capacidad de 64 Megabits (64Mb).
Organización: Está organizada internamente como 4 bancos de 1.048.576 palabras (4M) x 16 bits.
Diseño síncrono: Su diseño síncrono permite controlar los ciclos de reloj con gran precisión, y las transacciones de entrada/salida son posibles en cada ciclo de reloj.
Flexibilidad: La posibilidad de configurar la frecuencia de operación, la longitud de ráfaga y la latencia lo hacen adecuado para diversas aplicaciones de memoria de alto rendimiento y alto ancho de banda.
Fabricante: El fabricante es ESMT (Elite Semiconductor Memory Technology Inc.).

El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracterizado por su operación de alta velocidad y doble canal independiente (lado alto y bajo). Permite controlar de forma eficiente y rápida dispositivos de potencia en aplicaciones de electrónica de potencia, gracias a sus canales flotantes de hasta 500-600V, tiempos de conmutación cortos (100-200ns) y entradas lógicas compatibles con 3.3V. Es ideal para inversores, convertidores de potencia y control de motores, utilizando un circuito de bus-strap para la alimentación del canal de alto voltaje

Caracteristicas:
Tipo de controlador: Driver de alta velocidad y alta tensión para MOSFETs e IGBTs.
Voltaje flotante (lado alto): Hasta 500V.
Corriente de salida: 2A (pulsada).
Voltaje de salida (Vout): 10V a 20V.
Alimentación lógica: Rango de 3.3V a 20V.
Entradas: Compatibles con CMOS y LSTTL, operando desde 3.3V.
Tiempos de propagación: Tiempos de retardo de propagación combinados para un uso eficiente en aplicaciones de alta frecuencia.
Encapsulado: Comúnmente encontrado en formato DIP-14.
Temperatura de operación: De -40°C a +125°C

Descripción:
Inversor de onda sinusoidal pura EGS002 de 5 V CC a CA, placa controladora SPWM, placa inversora EGS002

Inversor de onda sinusoidal pura EGS002 de 5 V CC-CA, placa controladora SPWM, adaptadores para módulo de pantalla EGS002, placa inversora, oscilador, cables de 17 pines, módulo EGS002, módulo de control EG8010 IR2113 para IPS

El EG8010 es un chip generador inversor digital de onda sinusoidal pura con control de tiempo muerto integrado muy completo. Se utiliza en arquitecturas de conversión de potencia CC-CC-CA o en arquitecturas con dos transformadores de frecuencia de convertidor elevador de una sola etapa CC-CA. Además, cuenta con un oscilador de cristal externo de 12 MHz para lograr una alta precisión y una distorsión armónica mínima en inversores ASIC de onda sinusoidal pura de 50 Hz o 60 Hz. El chip utiliza tecnología CMOS, un generador sinusoidal SPWM integrado internamente, un circuito de control de tiempo muerto, un multiplicador de factor de amplitud, un circuito de arranque suave, un circuito de protección, una interfaz de comunicación serie RS232 y un módulo controlador LCD serie 12832, entre otras funciones.

Características:

Fuente de alimentación única de 5 V;

Pin 4 tipos de onda sinusoidal pura Frecuencia de salida: Onda sinusoidal pura de 50 Hz de frecuencia fija de frecuencia fija 0-100 Hz Onda sinusoidal pura de 60 Hz Frecuencia de onda sinusoidal pura ajustable 0-400 Hz La frecuencia de onda sinusoidal pura es ajustable;
Modo de modulación unipolar y bipolar;

Viene con pin de control de tiempo muerto 4 tipos de tiempo muerto: 300nS 500nS tiempo muerto tiempo muerto 1.0uS 1.5uS tiempo muerto;
Oscilador de cristal externo de 12 MHz;
Frecuencia portadora PWM 23,4 KHz;
Procesamiento de retroalimentación de voltaje, corriente y temperatura en tiempo real;
Función de protección contra sobretensión, subtensión, sobrecorriente y sobrecalentamiento;
Juego de pines modo de arranque suave tiempo de respuesta 1S;
Comunicación en serie para configurar el voltaje de salida, frecuencia y otros parámetros;

Módulo de pantalla LCD serie 128 * 32 externo con información de voltaje, frecuencia, temperatura y corriente del inversor;

Modificar la función o los parámetros según las aplicaciones del cliente de la empresa Yi Jing Microelectronics;



Aplicaciones:
Inversor de onda sinusoidal pura monofásico;
Inversor fotovoltaico;
Inversor de energía eólica;
Sistema de alimentación ininterrumpida UPS;
Sistema generador digital;
Fuente de alimentación de frecuencia;
Controlador de velocidad de motor monofásico;
Inversor monofásico;
Reguladores de intensidad de onda sinusoidal;
Regulador de voltaje de onda sinusoidal;
Generador de ondas sinusoidales;

Descripcion:

El KA3525A es controlador PWM de frecuencia programable de hasta 430kHz, monolítico que incluye todos los circuitos de control necesarios para un regulador de modulación de ancho de pulso. Hay una referencia de voltaje, un amplificador de error, un modulador de ancho de pulso, un oscilador, un bloqueo de bajo voltaje, un circuito de inicio suave y el controlador de salida en el chip.
5V ± 1% Referencia
Terminal de sincronización del oscilador
Control de tiempo muerto

Especificaciones:
Tensión de alimentación mínima: 8 V
Tensión de alimentación máxima: 35 V
Tensión de salida: 5.1 V
Corriente de salida: 500 mA
Frecuencia: 430 kHz
Temperatura de operación mínima: 0 °C
Temperatura de operación máxima: 70 °C
Encapsulado: DIP
Número de pines: 16

Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resistencia de encendido (Rds(on)): 1.2 Ohmios.
Encapsulado: TO-247AC.

transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 V
Voltaje emisor-base: 5 V
Corriente del colector: 1 A
Disipación del colector: 20 W
Ganancia de corriente CC (h fe ) : 100 a 320
Frecuencia de transición: 100 MHz
Rango de temperatura de funcionamiento de la unión: -55 a +150 °C
Encapsulación: TO-220F

transistor bipolar 2SA1837
Tipo: PNP
Tensión Colector - Emisor: -230 V
Tensión Colector - Base: -230 V
Voltaje emisor-base: - 5 V
Corriente del colector: - 1 A
Disipación del colector: 20 W
Ganancia de corriente CC (h fe ): 100 a 320
Frecuencia de transición: 70 MHz
Rango de temperatura de funcionamiento de la unión: -65 a +150 °C
Encapsulación: TO-220F