Búsqueda
Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Características:
8 transceivers bidireccionales para comunicaciones asincrónicas en buses de datos..
Estructura de 8 canales (bus) bidireccional, ideal para comunicaciones paralelas entre bloques de me..
Caracteristicas:
modelo: FQP7N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES M..
El ADG511, es un CMOS monolítico
Circuitos integrado que contiene cuatro interruptores analógicos se..
Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES..
Especificacion:
Modelo: AOD4126
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
Máxima disipación de..
Descripcion:
El módulo incluye un optoaislador PC817 que proporciona aislamiento eléctrico entre el..
La placa es de alta potencia MOS interruptor de activación del módulo y la placa de cont..
APT5010LVR es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo mejorado de canal N de alto voltaje..
Transistor LDMOS de potencia
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 1400 W para a..
El BME280 es un sensor digital de alta precisión utilizado para medir temperatura, presión atmosféri..
Caracteristicas:
Proteccion contra cortocircuito
Proteccion contra sobrecarga
Proteccion contra sob..
Estos circuitos se encargan de determinar cuándo la batería (célula) o conjunta ya..
Especificaciones
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: PG-SOT-223-4
Polaridad del tran..
Tipo: CMOS
Familia lógica de CI: CD4000
Tipo lógica: NOR
Número de entradas: 2
..