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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
El IRS20957S es un driver de audio de alta eficiencia para amplificadores clase D, con capacidad de ..
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
El JCV8034 es un innovador amplificador de potencia de audio de clase AB con tecnología MOSFET en pa..
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..