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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
DESCRIPCIÓN
La serie H11C consta de un diodo emisor de infrarrojos de arseniuro de galio acop..
HEF4027B es un flip-flop JK activado por flanco positivo dual que cuenta con entradas directas indep..
Descripcion:
El HNT-M530 es un modelo de fuente de alimentación (eliminador) de 5V y 3A, comúnmente ..
diametro de eje: 8mm
paso: 8mm
hilos: 4
largo: 300mm
material: inox
..
CARACTERISTICAS
El sensor funciona mediante un principio inductivo, utilizando un inductor interno p..
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
JDY-33 es un clásico Bluetooth + BLE de modo dual Bluetooth, puede comunicarse con computadoras habi..
Características:
- Voltaje inverso maximo: 1000V
- Voltaje RMS: 700V
- Corriente maxima de tr..
CARACTERISTICAS:
Estos kits de pulido electrico de 30 piezas son para tallado, grabado, lijado y li..