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-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
El IRS20957S es un driver de audio de alta eficiencia para amplificadores clase D, con capacidad de ..
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
Compatible con baterías de 2 a 4 celdas de litio.
Interfaz de comunicación: SMBus / I²C para monitor..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
El JCV8034 es un innovador amplificador de potencia de audio de clase AB con tecnología MOSFET en pa..
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
Modelo JDY-22
Rango de frecuencia 2.4G
Potencia de transmisión 4db (MAX)
Interfaz de comunicac..