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Descripcion:
Puente de diodos monofásico de orificio pasante GBJ5010 en carcasa GBJ. Tensión invers..
Especificaciones:
Serie: HF33F
Tipo:Relé de potencia
contactos: SPDT
Corriente de conmutación: 10 A
..
El HT8950 es un modulador de voz CMOS LSI de un solo chip. Proporciona 7 pasos para cambiar la frecu..
¡Conecte su dispositivo a Internet con este módulo Intel Dual Band Wireless AC 8265! Con un conector..
Modelo: KCD1-203
medidas: 17.5x21mm
voltaje: 6A-250Vac/ 10A-125Vac
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Descripción:
Se puede utilizar como onda sinusoidal pura, onda sinusoidal modificada, m&aac..
Especificaciones
Potencia: 500 W.
Entrada: CC 12 V/24 V.
Salida: AC 0-220V-380V y AC18V.
Corriente e..
Es un chip de compartimento de carga TWS que puede admitir una personalización profunda, como la com..
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..