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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Especificaciones
Potencia: 500 W.
Entrada: CC 12 V/24 V.
Salida: AC 0-220V-380V y AC18V.
Corriente e..
Caracteristicas:
potencia de salida maxima: 1500W
voltaje de entrada: 12 Vdc( puede ser una bateria..
Es un chip de compartimento de carga TWS que puede admitir una personalización profunda, como la com..
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
Descripcion:
El KA3842 es un circuito integrado controlador PWM (modulación por ancho de pulso) de ..
Dimensiones: 28 mm * 28 mm * 11 mm
Modelo: Puente rectificador de diodos KBPC5010 50A 1000V
Corrie..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..