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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
Especificaciones
El producto ha obtenido la certificación CE
Microprocesador: STM32L151CBU6 (b..
1. Entrada: cc 12V a 24V, salida CC 5V/5A voltaje continuamente ajustable, la corriente máxima de sa..
Caracteristicas:
Adecuado para: disipador térmico de CPU o chip. Resistencia a altas temperaturas
N..
El INA106 es un amplificador diferencial monolítico de ganancia = 10 que consta de un amplificador o..
Espedificaciones:
Ganancias internas: Proporciona ganancias predeterminadas de 1, 10, 100, 200 y 50..
Especificaciones
Potencia: 500 W.
Entrada: CC 12 V/24 V.
Salida: AC 0-220V-380V y AC18V.
Corriente e..
Caracteristicas:
modelo: M14 PVC
color: negro
voltaje nominal: 250V
corriente maxima: 6 A
tamaño de..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..