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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Tipo de componente: IC de gestión de energía / power bank SoC (System-on-Chip)
Función integrada:
• ..
Caracteristicas:
modelo: M14 PVC
color: negro
voltaje nominal: 250V
corriente maxima: 6 A
tamaño de..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Compatible con baterías de 2 a 4 celdas de litio.
Interfaz de comunicación: SMBus / I²C para monitor..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
El JK3DM683 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado e..
DESCRIPCIÓN:
Este módulo combina dos potenciómetros y un interruptor pulsador en ..