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Especificaciones
Polaridad de Transistor: NPN
Tension de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V
Cor..
Voltaje colector-emisor (Vceo): 20 V
Voltaje colector-base (Vcbo): 30 V
Corriente del colector (Ic):..
Especificaciones
Tipo - NPN
Voltaje colector-emisor: 50 V
Voltaje colector-base: 60 V
Voltaje de..
1. Con paquete TO-220F
2. Complemento al tipo 2SB1366
3. Bajo voltaje de saturación del colector: V..
Descripcion:
Las series H21A y H22A_ de fotointerruptores opacos son interruptores de un solo canal..
CARACTERISTICAS
El sensor funciona mediante un principio inductivo, utilizando un inductor interno p..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
empaquetado to-220
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10 A
Voltaje - Desglose d..
Descripciones:
Serie GMA de sensor fotoeléctrico tipo láser, el uso del ángulo de emisión del rayo l..
Características
Polaridad (N-P-N)
Corriente máxima de colector (Ic) 200 mA
De colect..
Polaridad del transistor: NPN
Tensión colector emisor V(br)ceo: 30 V
Voltaje emisor base VEBO:..
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
Caracteristicas
Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente
Pequeño transistor de se&nti..