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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
-Tipo - PNP
-Voltaje del colector-emisor: -120 V
-Voltaje de la base del ..
Especificaciones:
Voltaje Colector-Base: 60V
Voltaje Colector-Emisor: 50V
Voltaje Emisor-Base: 5V..
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
Descripcion:
transistor de silicio NPN de proposito general.
Documentacion:
hoja de datos
..
El transistor C5171 (oficialmente etiquetado como 2SC5171 ) esun transistor de potencia NPN de silic..
Características:
-Polaridad del transistor: NPN
-Voltaje base VCBO: 230 V
-Voltaje colector emisor V..
Transistor 2SC9014 - Preamplificador de Bajo Nivel de Alto Rendimiento
El transistor 2SC9014 es un ..
Descripcion:
El J112 es un transistor FET o de efecto de campo de silicio de canal N de alto rendim..
Descripcion:
El integrado 2SK952 es un mosfet de canal N que puede manejar voltajes elevados, lleg..
Descripcion:
soporte angular para los motorrreducotr JGB-37, JGA-37
..
Características del módulo:
1. Conversión bidireccional de lógica de alto voltaje y lógica de bajo v..
El módulo de teclado AD le permite usar un puerto analógico para leer los cinco Estados clave, guard..
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60T65PES
Paquete: TO-247AB-3..
Descripcion:
Microzone MC6C Mini (también conocido como 6C-Mini), un sistema de radio control de 2...
Características:
8 transceivers bidireccionales para comunicaciones asincrónicas en buses de datos..