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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
DESCRIPCIÓN:
Este módulo relé de un canal dispone de un transistor para su activación, lo que quier..
Especificaciones:
Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel).
Encapsulado: SOT-23 (montaje superficial).
..
función: el uso de control de bajo nivel de alto nivel. tales como el uso de un solo chip mi..