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Especificaciones: Voltaje Colector-Base: 60V Voltaje Colector-Emisor: 50V Voltaje Emisor-Base: 5V..
Caracteristicas -Transistor de potencia NPN de silicio -Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
Descripcion: transistor de silicio NPN de proposito general. Documentacion: hoja de datos ..
Características: -Polaridad del transistor: NPN -Voltaje base VCBO: 230 V -Voltaje colector emisor V..

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Transistor 2SC9014 - Preamplificador de Bajo Nivel de Alto Rendimiento El transistor 2SC9014 es un ..
Descripcion: El J112 es un transistor FET o de efecto de campo de silicio de canal N de alto rendim..
Descripcion: El integrado 2SK952 es un mosfet de canal N que puede manejar voltajes elevados, lleg..
CARACTERISTICAS -Diámetro: 30mm -Espesor: 10 mm -Apertura : 1,9 mm ( compacto Con 2 eje MM ..
OK2D2282 es ​​un controlador de motor paso a paso subdividido y de alto rendimiento que utiliza un á..
Descripcion: Este potenciómetro lineal Alpha Dual-Gang 50K es una pila de potenciómetros dos en u..
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS Tipo: Transistor IGBT Numero de serie: 60T65PES Paquete: TO-247AB-3..
Descripcion: El 74HC125 ofrece 4 buffers de puerta independientes con capacidad de 6 mA a 5 V VCC e..
Características: 8 transceivers bidireccionales para comunicaciones asincrónicas en buses de datos..
Entrada serial, salida paralela, o salida serial que permite conexión en cascada de varias uni..
El 74HC125 es un controlador cuádruple / línea con salidas de 3 estados controladas por ..
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