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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Especificaciones:
Voltaje Colector-Base: 60V
Voltaje Colector-Emisor: 50V
Voltaje Emisor-Base: 5V..
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
Descripcion:
transistor de silicio NPN de proposito general.
Documentacion:
hoja de datos
..
Características:
-Polaridad del transistor: NPN
-Voltaje base VCBO: 230 V
-Voltaje colector emisor V..
Descripcion:
El integrado 2SK952 es un mosfet de canal N que puede manejar voltajes elevados, lleg..
CARACTERISTICAS
-Diámetro: 30mm
-Espesor: 10 mm
-Apertura : 1,9 mm ( compacto Con 2 eje MM ..
ESPECIFICACIÓN Y CARACTERÍSTICAS
Tipo: Transistor IGBT
Numero de serie: 60T65PES
Paquete: TO-247AB-3..
Descripcion:
El 74HC125 ofrece 4 buffers de puerta independientes con capacidad de 6 mA a 5 V VCC e..
Características:
8 transceivers bidireccionales para comunicaciones asincrónicas en buses de datos..
Entrada serial, salida paralela, o salida serial que permite conexión en cascada de varias uni..
El 74HC125 es un controlador cuádruple / línea con salidas de 3 estados controladas por ..
Circuito Integrado 74LS126. Cuatro buffers de bus de salidas de tres estados, que cuando está ..
El SN74LS164N es un registro de desplazamiento en serie que incluye entradas en serie cerradas y una..
El SN74LS194A es un registro de desplazamiento universal bidireccional de 4 bits de alta velocidad. ..