Búsqueda
Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Descripcion:
antena GSM de alta ganancia para dispositivos gsm, gprs,
Caracteristicas:
medida:..
Rango de frecuencia (MHz) 2400-2500
Ganancia (dBi) > 2.5
VSWR < 1.5
Polarización
No circul..
ecnología Canal P
Forma de montaje Paquete D
Diseño MOSFET
Tipo Transistores unipolares (..
Número de Parte: AOD406- D412YXBF3C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES..
Descripcion:
El módulo incluye un optoaislador PC817 que proporciona aislamiento eléctrico entre el..
La placa es de alta potencia MOS interruptor de activación del módulo y la placa de cont..
Caracteristicas:
Disipación total del dispositivo (Pd): 53.5 W
Voltaje drenador-surtidor|Vds|: 25V
..
Descripcion:
AP2960 es un amplio voltaje de entrada, alta eficiencia Convertidor CC/CC reductor sín..
Fabricante ADVANCED POWER ELECTRONICS
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
..
Elegir el que necesita
Esta pequeña placa tiene un módulo sensor APDS-9960 que detecta ..
El APM 2,8 es un sistema completo de piloto automático de código abierto y la tecnología. Permite al..
APT5010LVR es una nueva generación de MOSFET de potencia en modo mejorado de canal N de alto voltaje..
Arandela de presicion 10x5x1mm (V5.0)
Arandela de presicion 8x5x1mm (V4.0)
Elija su modelo a reque..
Caracteristicas:
Material: acero inoxidable
diametro interno: 3mm
diametro externo: 7mm
grosor: 0.5..
Caracteristicas:
Material: acero inoxidable
diametro interno: 5mm
diametro externo: 10mm
grosor: 0..