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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Especificaciones:
Capacidad: 450 mAh
Voltaje: 3S1P / 3 celdas / 11,1 V
Descarga: 70 °C constante / 1..
Especificaciones:
Capacidad: 500 mAh
Voltaje: 1S1P / 1 celda / 3,7 V
Descarga: 25 °C constante / 50..
Características:
BBC Micro:Bit V2
Procesador: 64 MHz Arm Cortex-M4 con FPU
512KB Flash
128KB RAM
5x..
Características:
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como am..
CARACTERISTICAS:
-Tipo de paquete: TO-92
-Tipo de transistor: NPN
-Corriente máxima del c..
TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92
Polaridad del transistor: NPN
Collector Emitter Voltage V (br) ..
Tipo de paquete: TO-92
Tipo de transistor: PNP
Corriente máxima del colector (I C ): -100mA
Voltaje ..
Tipo: Transistor BJT NPN
Paquete: SOT‑23 (montaje superficial)
Tensión máxima colector‑emisor (VCEO..
Tipo de Transistor NPN
Corriente Máxima Continua del Colector 4 A
Tensión Máxima..
Especificaciones
Polaridad de Transistor: NPN
Tension de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V
Cor..
Voltaje colector-emisor (Vceo): 20 V
Voltaje colector-base (Vcbo): 30 V
Corriente del colector (Ic):..
CARACTERISTICAS:
-Detección de intensidad de luz digital
-Modelo: GY-302
-BH1750FVI chip uti..
Descripción:
Las bisagra con abrazadera es comunmente utilizado para sujetar los marcos de serigraf..
Un transistor de potencia LDMOS extremadamente robusto de 700 W para aplicaciones industriales y de ..