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Especificaciones: Capacidad: 500 mAh Configuración: 2S1P / 7,4 V / 2 celdas Descarga constante: ..
Características: • Tasa de descarga de 100 C altísima • Precio increíblemente competitivo • Celdas d..
Especificaciones: Capacidad: 300mAh Voltaje: 2S1P / 2 / celulares 7.4V Descarga: 35C Constante / 70C..
Especificaciones: Capacidad: 450 mAh Voltaje: 3S1P / 3 celdas / 11,1 V Descarga: 70 °C constante / 1..
Especificaciones: Capacidad: 1000mAh Voltaje:3S1P / 3 células / 11.1v Descarga: Constante de 45C ..
Especificaciones: Capacidad: 6000 mAh Voltaje: 3S1P / 3 celdas / 11,1 V Descarga: 25 °C constante..
Especificaciones: Capacidad: 500 mAh Voltaje: 1S1P / 1 celda / 3,7 V Descarga: 25 °C constante / 50..
Características: Transistor Bipolar (BJT) PNP Dispositivo diseñado para operar como am..
CARACTERISTICAS: -Tipo de paquete: TO-92 -Tipo de transistor: NPN -Corriente máxima del c..
TRANSISTOR BIPOLAR, NPN, 30 V, TO-92 Polaridad del transistor: NPN Collector Emitter Voltage V (br) ..
Tipo de paquete: TO-92 Tipo de transistor: PNP Corriente máxima del colector (I C ): -100mA Voltaje ..
Tipo: Transistor BJT NPN Paquete: SOT‑23 (montaje superficial) Tensión máxima colector‑emisor (VCEO..
Tipo de Transistor NPN Corriente Máxima Continua del Colector 4 A Tensión Máxima..
Especificaciones Polaridad de Transistor: NPN Tension de Colector a Emisor V(br)ceo: 100V Cor..
Voltaje colector-emisor (Vceo): 20 V Voltaje colector-base (Vcbo): 30 V Corriente del colector (Ic):..
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