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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Tipo de componente: IC de gestión de energía / power bank SoC (System-on-Chip)
Función integrada:
• ..
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Especificaciones:
Número de canales: 1 canal
Polaridad del transistor: Canal N
Tensión de ruptura dr..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Tipo: MOSFET de potencia canal N
Tensión drenaje-fuente (V₍DSS₎): 200 V
Corriente de drenaje continu..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
Compatible con baterías de 2 a 4 celdas de litio.
Interfaz de comunicación: SMBus / I²C para monitor..
J-Link- OB SEGGER desarrollador
soporta JTAG o SWD dispositivo de comunicación puede soportar la des..
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