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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
Descripcion:
-Catodo Diodo|Potencia LED 3W:Ofrece una iluminación intensa con 3W de potencia, ideal..
Especificaciones
Excelente MOS tubo(Corriente máxima nominal 280A)
Gran disipador de calor, l..
La placa es un módulo de controlador de interruptor de disparo MOS de alta potencia y una placa de c..
Descripcion:
Excelente MOS tubo(Corriente máxima nominal 280A)
Gran disipador de calor, la corriente..
empaquetado smd
CMOS IC con 3 controladores y receptores para RS-232
Corrientes de suministro muy ba..