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Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
La placa es un módulo de controlador de interruptor de disparo MOS de alta potencia y una placa de c..
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..
Transistor Mosfet N
Tipo de FET: Canal N
SMD
Paquete: TO-252-2(DPAK)
Voltaje de drenaje (Vdss): 60V..
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Descripción:
-Modelo: SM4028N Mosfet de Canal N
-Voltaje: 40V
-Corriente: 60A
Datasheet
..
Modelo: SUP85N04
Tipo: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disip..
Tipo de controlador MOSFET Lado bajo
Tipo de controlador Único
Configuración no inversor
Salida de f..
Tipo: Driver de puerta MOSFET, salida no inversora
Corriente pico de salida (source/sink): hasta 6 A..