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El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
Modelo: B-BLN1
Voltaje: 7,6 V
Capacidad: 1220 mAh
Compatible con: Olympus OM-D, E-M5, E-M5 Mark II, ..
(manga de laton), adecuado para eje de motor de 3.175mm
Abrazadera de perforacion JT0 para varilla d..
Juego de 8 llaves allen mm tipo llavero, punta hex, PRETUL
Fabricadas en acero al carbono
Acabado p..
