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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
El JK3DM683 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado e..
El JK3DM860 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado en ..
Descripción del producto
Diseño de doble filo, una variedad de cuchillas son adecuadas para diversas..