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¡Conecte su dispositivo a Internet con este módulo Intel Dual Band Wireless AC 8265! Con un conector..
DEBE ELEGIR EL MODELO QUE REQUIERE
Number of poles: 3 y de 4
Current rating: 24VDC
Voltage rating: 5..
DEBE ELEGIR EL MODELO QUE REQUIERE
Number of poles: 6 y de 8
Current rating: 24VDC
Voltage rating: 5..
Caracteristicas:
modelo: M14 PVC
color: negro
voltaje nominal: 250V
corriente maxima: 6 A
tamaño de..
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
Descripcion:
Diseñado especialmente para aplicaciones de alto voltaje y alta velocidad,
como fuente..
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
especificaciones
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Te..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..