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DESCRIPCION DE PRODUCTO:
2N5551 es un transistor NPN de propósito general construido para u..
Descripcion:
Transistor de proposito general a1266
Documentacion:
Características:
1. Excelente l..
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje colector base VCBO: -230 V
Voltaje colector emisor VCEO: -230 ..
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
-Tipo - PNP
-Voltaje del colector-emisor: -120 V
-Voltaje de la base del ..
Especificaciones:
Voltaje Colector-Base: 60V
Voltaje Colector-Emisor: 50V
Voltaje Emisor-Base: 5V..
Caracteristicas:
voltaje colector emisor: 150V
corriente de colector constate: 1.5 A
potencia disip..
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (B..
Descripcion:
transistor de silicio NPN de proposito general.
Documentacion:
hoja de datos
..
Características:
-Polaridad del transistor: NPN
-Voltaje base VCBO: 230 V
-Voltaje colector emisor V..
Transistor 2SC9014 - Preamplificador de Bajo Nivel de Alto Rendimiento
El transistor 2SC9014 es un ..
D718 2SD718 KTD718 NPN 120V 8A Transistor TO-3P Amplificadores de potencia de audio Transistor de po..
Transistor Bipolar (BJT) NPN
IC max: 3 A
IC pulso max: 6 A (@ tp < 5 ms)
FT : 100 MHz típi..
Descripcion:
El J112 es un transistor FET o de efecto de campo de silicio de canal N de alto rendim..
Caracteristicas:
Voltaje de drenador-surtidor(Vds): 900V
Voltaje de puerta-surtidor(Vgs):30V
corrie..
Descripcion:
El integrado 2SK952 es un mosfet de canal N que puede manejar voltajes elevados, lleg..