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Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
El husillo de refrigeración por agua adopta el ciclo de agua para enfriar el husillo, por lo que el ..
Descripcion:
-Catodo Diodo|Potencia LED 3W:Ofrece una iluminación intensa con 3W de potencia, ideal..
La placa es un módulo de controlador de interruptor de disparo MOS de alta potencia y una placa de c..
Descripcion:
Excelente MOS tubo(Corriente máxima nominal 280A)
Gran disipador de calor, la corriente..
empaquetado smd
CMOS IC con 3 controladores y receptores para RS-232
Corrientes de suministro muy ba..
Características:
-Mini controlador de temperatura Con pantalla led grande y clara para una me..
Especificaciones:
Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel).
Encapsulado: SOT-23 (montaje superficial).
..
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..