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-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Características :
1. Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 us
2. Diseñado para:
(1) Convertid..
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
el kit contiene
10x S9012 PNP
10xS9013 NPN
10xS9014 NPN
10xS9015 BJT-PNP
10xS9018 NPN High frecuenc..
BC327 ---20PCS
BC337 ---20PCS
BS517 ---20PCS
BC547 ---20PCS
BC548 ---20PCS
BC549 ---20PCS
BC550 ---2..
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
empaquetado to-220
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10 A
Voltaje - Desglose d..
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
Descripcion del producto
Detalles del artículo: MJE.
Caracteristica: 13003 transistor b772 ..