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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Un Power MOSFET es un dispositivo electrónico con buenas características de conmutaci&oa..
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Especificaciones:
Número de canales: 1 canal
Polaridad del transistor: Canal N
Tensión de ruptura dr..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resiste..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRG4BC20KD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transist..
compatible con modulos de 3.3V
Tipo: MOSFET de canal N
Tensión drenaje‑fuente (V₍DSS₎): 55 V
Corrie..
El JCV8034 es un innovador amplificador de potencia de audio de clase AB con tecnología MOSFET en pa..
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..
El JK3DM683 es un controlador paso a paso digital de alto rendimiento de nueva generación basado e..