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Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Tipo: MOSFET de canal P
Voltaje drenaje-fuente (Vds): –100 V
Corriente de drenaje continua (Id): –12..
Tipo: MOSFET de potencia canal N
Tensión drenaje-fuente (V₍DSS₎): 200 V
Corriente de drenaje continu..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Compatible con baterías de 2 a 4 celdas de litio.
Interfaz de comunicación: SMBus / I²C para monitor..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
El JCV8034 es un innovador amplificador de potencia de audio de clase AB con tecnología MOSFET en pa..
Modelo JDY-22
Rango de frecuencia 2.4G
Potencia de transmisión 4db (MAX)
Interfaz de comunicac..
JDY-33 es un clásico Bluetooth + BLE de modo dual Bluetooth, puede comunicarse con computadoras habi..