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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Descripcion:
El IRL530 es un MOSFET de potencia de canal N, diseñado para aplicaciones industriales..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
El IRS20957S es un driver de audio de alta eficiencia para amplificadores clase D, con capacidad de ..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
Modelo JDY-22
Rango de frecuencia 2.4G
Potencia de transmisión 4db (MAX)
Interfaz de comunicac..
JK-HSD57 es uno de los modelos de servomotores sencillos de la serie Jkongmotor que puede tomar un v..
