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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Material : plastico, metal
Modelo: XL601-11
Tipo : 3Pin, 2 posicion, SPST
Voltage : AC 3A/250V
Tama&..
Especificaciones Técnicas
Número de Polos: 2 (doble polo)
Corriente Nominal: 16A por polo
Tensión No..
Descripcion:
El interruptor automático miniatura DZ47-63 se utiliza principalmente en circuitos de C..
Es un chip de compartimento de carga TWS que puede admitir una personalización profunda, como la com..
Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
Especificacion
“Tipo: MOSFET de canal N.
Tensión de drenaje-fuente (Vds): 200 V.
Corriente máxima de..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Tipo: MOSFET de potencia canal N
Tensión drenaje-fuente (V₍DSS₎): 200 V
Corriente de drenaje continu..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..