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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Especificaciones:
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 250 V
Tensión colector-base: 250 V
Tensión..
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
Descripcion:
El RD70HVF1-101 es un transistor de potencia de RF Mitsubishi diseñado para circuitos ..
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
|Vge|ⓘ - T..
Caracteristicas
Transistor NPN de bajo voltaje y alta corriente
Pequeño transistor de se&nti..
Polaridad de transistor: PNP
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colect..
Transistor Bipolar (BJT) PNP
Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio
hFE..
Características:
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como am..
Especificaciones
Nombre del producto: Transistor SOT23.
Ic: 100 mA Vceo: 45 V HFE: 200 - 400 PCM: ..