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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
transistor bipolar 2SC4793
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 230 V
Voltaje colector-base: 230 ..
empaquetado to-220
Tipo de transistor
PNP
Corriente - Colector (Ic) (Max)
10 A
Voltaje - Desglose d..
Descripcion:
Dispositivo diseñado para probar transistores NPN y PNP, transistores MOFSET canal N ..
Descripcion del producto
Detalles del artículo: MJE.
Caracteristica: 13003 transistor b772 ..
Especificaciones:
Tipo: NPN
Tensión colector-emisor: 250 V
Tensión colector-base: 250 V
Tensión..
Descripcion:
El MJE15033G es un transistor de potencia bipolar de unión (BJT) tipo PNP diseñado par..
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Especificaciones:
Tipo: MOSFET de canal N (N-Channel).
Encapsulado: SOT-23 (montaje superficial).
..
Especificaciones:
Tipo de transistor: MOSFET
Tipo de canal de control: Canal N
Disipación de potenc..
Polaridad de Transistor: NPN
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Disipación ..
Polaridad de Transistor: PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 300V
Frecuencia de Tra..
Estos MOSFET de potencia han sido desarrollados utilizando el exclusivo proceso STripFET de STMicroe..
Esta serie de MOSFET de potencia realizada con el proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ..
Descripcion:
El PHD3055E es un transistor de potencia de efecto de campo (MOSFET) de canal N, fabri..
Descripcion:
El RD70HVF1-101 es un transistor de potencia de RF Mitsubishi diseñado para circuitos ..