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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Descripción:
Se puede utilizar como onda sinusoidal pura, onda sinusoidal modificada, m&aac..
Especificaciones
Potencia: 500 W.
Entrada: CC 12 V/24 V.
Salida: AC 0-220V-380V y AC18V.
Corriente e..
Caracteristicas:
potencia de salida maxima: 1500W
voltaje de entrada: 12 Vdc( puede ser una bateria..
Caracteristicas:
potencia de salida maxima: 2000W
voltaje de entrada: 12 Vdc( puede ser una bateria..
Es un chip de compartimento de carga TWS que puede admitir una personalización profunda, como la com..
El IR2110 es un circuito integrado controlador de alto voltaje (HVIC) para MOSFET e IGBTs, caracteri..
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
Este módulo IRF520 Mosfet Driver es fácil de conectar a su Arduino u otro microcontrolad..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..