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Descripcion:
el integrado IR es un controlador de alta velocidad y alto voltaje de mosfet e igbt ..
Los IR2136/IR21362 son controladores MOSFET e IGBT de potencia de alta velocidad y alto voltaje con ..
Descripcion:
El IR2153 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia autooscilante de alto voltaje y ..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
Caracteristicas:
-Tipo FET: Canal N
-Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
-Voltaje de drenaje a fuent..
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Polaridad del transistor: Canal P
Intensidad drenador continua Id: -6.8 A
Voltaje de drenaje- fuente..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
Caracteristicas:
Modelo: J13007
encapsulado: TO-220
voltaje colector base:700V
voltaje colector emi..
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..