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Tipo: MOSFET de potencia canal N
Tensión drenaje-fuente (V₍DSS₎): 200 V
Corriente de drenaje continu..
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resiste..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRG4BC20KD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transist..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (VDS): 30 V
Voltaje puerta‑fuent..
El IRS2092 es un controlador de amplificador de audio Clase D de alto voltaje y alto rendimiento con..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
El IRS20957S es un driver de audio de alta eficiencia para amplificadores clase D, con capacidad de ..
Este módulo ISD1820 Módulo de Grabación y Reproducción de Voz basado en el c..
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
1: JDY-16 utiliza el desarrollo del protocolo BLE 4.2 compatible con BLE5.0, que es mejor que la com..