Búsqueda
Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
Descripcion:
El IR2127 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alto voltaje..
Caracteristicas:
Tipo: Canal N
Tensión de ruptura de drenaje-fuente: 75 V
Voltaje de compuerta-fu..
Descripcion:
El IRF3710 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones d..
Especificaciones:
Tipo de FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuent..
Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd -..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Especificaciones:
Tipo de MOSFET: Canal N.
Voltaje (Vds): Hasta 800V.
Corriente (Id): 7.8A.
Resisten..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
El IRS2092 es un controlador de amplificador de audio Clase D de alto voltaje y alto rendimiento con..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
Este módulo basado en el circuito integrado ISD1820 permite la grabación y reproducci&oa..
Compatible con baterías de 2 a 4 celdas de litio.
Interfaz de comunicación: SMBus / I²C para monitor..
Descripcion:
El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction ..
J-Link- OB SEGGER desarrollador
soporta JTAG o SWD dispositivo de comunicación puede soportar la des..