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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
G60N100 es un transistor con un polo de control de cuarentena que es un componente semiconductor de ..
Modelo: GT30F126
Tipo: IGBT
Polaridad de transistor: N
Pc - Máxima potencia disipada: 18 W
Vce - Ten..
Caracteristicas:
Modelo: H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Voltaje de saturación cole..
Caracteristicas:
H20R1203
Tipo: IGBT
Canal: N
VCE: 1200V
IC: 20A
Ptot: 310W
Tvjmáx: 175ºC
Encapsu..
Modelo: LAY37
Tipo de botón: hongo color rojo
Disponible:
Con anillo de advertencia color amarillo
C..
CARACTERISTICAS
El sensor de proximidad Inductivo LJC30A3-H-Z/AX permite detectar objetos met&aacu..
Polaridad del transistor: Canal N
Intensidad drenador continua Id: 110 A
Tensión drenaje-fuente Vds:..
MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220
* Polaridad del transistor:N
* Max Voltage Vds:400V
* resistencia activ..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Aplicación de desarrollo propio JK Smart BMS: JK BMS tiene su APP para más configuraciones BMS y con..
JK-HSD57 es uno de los modelos de servomotores sencillos de la serie Jkongmotor que puede tomar un v..
Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Caracteristicas:
-Model: K40H1203
-Corriente: 40A
-Voltaje: 1200V
DATASHEET
..
Dimensiones: 28 mm * 28 mm * 11 mm
Modelo: Puente rectificador de diodos KBPC5010 50A 1000V
Corrie..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..