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Descripción:
El transistor K10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET, es un tran..
Descripcion:
El código K40B65H2A (también conocido como AOK40B65H2AL) corresponde a un transistor IG..
Caracteristicas:
-Model: K40H1203
-Corriente: 40A
-Voltaje: 1200V
DATASHEET
..
Dimensiones: 28 mm * 28 mm * 11 mm
Modelo: Puente rectificador de diodos KBPC5010 50A 1000V
Corrie..
Pc - Máxima potencia disipada: 25 W
Vce - Tensión máxima colector-emisor: 630 V
Vge - Tensión máxima..
Especificaciones
Temperatura de respuesta: 80 C
Corriente de operación: hasta 10A
Voltaje de ..
Especificaciones:
Voltaje: AC50-300V
Corriente: 0-100A
Potencia: 0-30KW
Capacidad: 0,01-19999Kwh
Te..
Descripcion:
El LM2576 es un circuito integrado regulador de voltaje que utiliza la topología de con..
El MBR20200CT es un diodo rectificador Schottky de alto rendimiento diseñado para diversas aplicacio..
Descripcion:
Este es un conector inteligente con el estándar EU . Los usuarios pueden convertir ins..
El MJE2955T es un transistor de potencia PNP de base epitaxial de silicio de -60 V diseñado para cir..
Están diseñados para la conmutación de cargas de potencia de hasta 250VAC. Las entradas de control s..
Módulo equipado con un relé de potencia para altas corrientes de funcionamiento, perfecto para el ac..
ESPECIFICACIONES DEL PRODUCTO:
Tensión de alimentación: 5V
Corriente de reposo: 5mA
Cor..
Esto se Ensambla Junta
Tamaño: 74mm x 77.8mm
Voltaje de entrada: DC 12 V-30 V
Requisitos de..