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Productos que cumplen el criterio de la búsqueda
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxi..
Fabricante INTERSIL
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Voltaje de la fuente de drenaj..
Descripcion
-IRFP360 Power Mosfet Transistor 400V 23A IRFP360PBF
..
Voltaje máximo de fuente de drenaje (V) 500
Voltaje máximo de fuente de puerta (V) ±30
Corriente de ..
Mosfet HEXFET® de Potencia
canal N
VDSS = 60V
RDS(on) = 200mΩ
ID = 10A
PD=43 v
VGS=± 20 V.
Empaqu..
ipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 55 V
Resiste..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRG4BC20KD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transist..
Tipo IGBT TNP
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic ..
Caracteristicas:
Número de Parte: IRGB20B60PD1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-..
El IRS2092 es un controlador de amplificador de audio Clase D de alto voltaje y alto rendimiento con..
Descripcion:
La tarjeta IRS2092S se distingue como un amplificador monofónico de alta potencia de t..
Asistencia de aire oficial SCULPFUN S9: Esta es una boquilla de asistencia de aire S9 estándar diseñ..
Contenido del KIt:
10 CONECTOR empalme recto
12 CONECTOR empalme TIPO L
2 CONECOTR empalme ti..
Especificaciones control remoto:
Distancia de control remoto infrarrojo: más de 8m (específicamente..
kit de inciciacion en electronica para colegios
el kit incluye:
1 x protoboard de 400puntos
15 × L..